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EMD4DXV6T1G	文件：65.31 Kbytes Page：5 Pages	Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：65.31 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMD4DXV6T1G	文件：76.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：76.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMD4DXV6T5	文件：65.31 Kbytes Page：5 Pages	Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：65.31 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMD4DXV6T5G	文件：65.31 Kbytes Page：5 Pages	Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：65.31 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMD4DXV6T5G	文件：76.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：76.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EMD4E001G08G1-150CAS2	文件：14.24969 Mbytes Page：174 Pages	1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM 文件：14.24969 Mbytes 页数：174 Pages	EVERSPIN	EVERSPIN
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EMD4E001G16G2-150CAS2	文件：14.24969 Mbytes Page：174 Pages	1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM 文件：14.24969 Mbytes 页数：174 Pages	EVERSPIN	EVERSPIN
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技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
NPN+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
47
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
-50
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
10
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA114Y / DTC144E
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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