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EMD12N60F	文件：169.56 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS600V RDSON(MAX.)0.75Ω ID12A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
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FDPF12N60NZ	文件：323.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FIR12N60FG	文件：3.40667 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-G	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市壹芯创科技有限公司	EMD12N60F	EMC	24+	SMD	18000	只做原装!公司现货库存!QQ:2369405325	询价
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