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EMD12N60F	文件：169.56 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 600V RDSON (MAX.) 0.75Ω ID 12A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：169.56 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD12N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
F12N60	文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages	12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：897.58 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F12N60	文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages	12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：898.09 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
F12N60	文件：898.24 Kbytes Page：11 Pages	12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：898.24 Kbytes 页数：11 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
600
VGS(±V)：
30
ID(A)：
12
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
750
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
21
CissTyp.(pF)：
1440

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