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EMD08N10E	文件：231.88 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：231.88 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD08N10E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
SPD08N10	文件：121.9 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：121.9 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPU08N10	文件：121.9 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS Power Transistor Features • N channel • Enhancement mode • Avalanche rated • dv/dt rated 文件：121.9 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPU08N10	文件：1.92233 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：1.92233 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
30
ID(A)：
130
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
7.5
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
64
CissTyp.(pF)：
5587

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMD08N10E供应商更新时间2025-10-7 15:10:00

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