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EMD06N06A	文件：223.86 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 6mΩ ID 68A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：223.86 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD06N06A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMD06N06E	文件：229.82 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：229.82 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD06N06H	文件：221.95 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 6mΩ ID 68A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：221.95 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
G06N06S	文件：1.28835 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G06N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.28835 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

更多EMD06N06A供应商更新时间2025-10-10 14:00:00