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EMBA5N10G

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 150mΩ ID 4A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:184.01 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMBA5N10G

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

EMBA5N10V

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 150mΩ ID 8A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:206.21 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMBB5N10P

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 280mΩ ID 2.4A UIS 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:178.94 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMBB5N10Q

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 250mΩ ID 3A UIS 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:190.57 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    100

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    4

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    150

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

    225

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    23

  • CissTyp.(pF):

    1030

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多EMBA5N10G供应商 更新时间2025-12-9 18:59:00