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EMBA5N10A	文件：231.29 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 150mΩ ID 10A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：231.29 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA5N10AS	文件：428.73 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：428.73 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA5N10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
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技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
10
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
150
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
175
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
23
CissTyp.(pF)：
1030

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更多EMBA5N10A供应商更新时间2025-10-13 16:04:00

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