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EMBA5C10A	文件：215.41 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 100V ‐100V RDSON (MAX.) 150mΩ 250mΩ ID 3A ‐2.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：215.41 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA5C10G	文件：215.98 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 100V ‐100V RDSON (MAX.) 150mΩ 250mΩ ID 3A ‐2.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：215.98 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA5C10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Complementary	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMBA5C10G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Complementary	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS

技术参数

Channel：
Complementary-N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
3
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
150
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
225
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
23
CissTyp.(pF)：
1030

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMBA5C10供应商更新时间2026-3-13 9:03:00

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