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EMBA2N10A	文件：231.24 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 125mΩ ID 14A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：231.24 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA2N10AS	文件：428.81 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N Channel MOSFET UIS, Rg 100% Tested Pb-Free Lead Plating & Halogen Free 文件：428.81 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMBA2N10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMBA2N10AS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
14
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
125
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
160
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
31
CissTyp.(pF)：
1640

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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