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EMBA2N10A	文件：231.24 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)125mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMBA2N10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel;	Excelliance MOSExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	Excelliance MOS
EMBA2N10AS	文件：428.81 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: NChannelMOSFET UIS,Rg100%Tested Pb-FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
F2N10A	文件：174.79 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features •VDS=100V,ID=2A •RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V(Typ.) •RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V(Typ.) •HighPowerandcurrenthandingcapability •Leadfreeproductisacquired •SurfaceMountPackage MainApplications •BatteryProtection •LoadSwitch •PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FIR2N10LTG	文件：3.42734 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
HM2N10	文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2N10B	文件：354.11 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
RFP2N10	文件：93.26 Kbytes Page：2 Pages	2A,80Vand100V,1.05Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFP2N10	文件：46.73 Kbytes Page：4 Pages	2A,80Vand100V,1.05Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters.motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrive	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP2N10L	文件：35.55 Kbytes Page：5 Pages	2A,80Vand100V,1.050Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFP2N08LandRFP2N10LareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedth	Intersil Intersil Corporation	Intersil

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
14
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
125
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
160
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
31
CissTyp.(pF)：
1640

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