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EMBA0A10G

Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 100mΩ ID 3.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:194.28 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMBA0A10G

Power MOSFETs-Dual

Excelliance MOS

杰力科技

EMBE0A10G

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 500mΩ ID 1.5A UIS 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:193.69 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

BCC0A10

Single-Ended Cordsets

文件:115.39 Kbytes 页数:2 Pages

Balluff

巴鲁夫

技术参数

  • Channel:

    Dual N

  • BVDSS(V):

    100

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    3.5

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    100

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

    125

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    34

  • CissTyp.(pF):

    1490

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EMC/杰力
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更多EMBA0A10G供应商 更新时间2025-12-1 19:22:00