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EMB45N06G	文件：183.34 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 45mΩ ID 6.5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：183.34 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB45N06G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
HFP45N06	文件：266.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET 文件：266.8 Kbytes 页数：5 Pages	Huashan 华汕电子器件	Huashan
HRP45N06K	文件：1.07674 Mbytes Page：8 Pages	60V N-Channel Trench MOSFET 文件：1.07674 Mbytes 页数：8 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
NP45N06VDK	文件：371.63 Kbytes Page：9 Pages	N-channel Power MOS FET 文件：371.63 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
6.5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
45
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
70
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
18
CissTyp.(pF)：
945

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更多EMB45N06G供应商更新时间2025-11-25 19:31:00

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