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EMB4	文件：65.73 Kbytes Page：2 Pages	丝印：T2R；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：65.73 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB4	文件：65.93 Kbytes Page：3 Pages	丝印：B4；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：65.93 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB4	文件：999.05 Kbytes Page：9 Pages	General purpose Dual digital transistor 文件：999.05 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB4	文件：497.28 Kbytes Page：1 Pages	General purpose transistors (dual digital transistors) 文件：497.28 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
EMB4	文件：3.40946 Mbytes Page：3 Pages	Dual Digital Transistors (PNPPNP) 文件：3.40946 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
EMB40A06S	文件：210.15 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 40mΩ ID 6A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：210.15 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB40P06A	文件：197.6 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐60V RDSON (MAX.) 62mΩ ID ‐17A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：197.6 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB44P04A	文件：842.31 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS -40V RDSON (MAX.) 44mΩ ID -25A P Channel MOSFET UIS, Rg 100% Tested Pb-Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 文件：842.31 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB44P04Q	文件：191.74 Kbytes Page：5 Pages	P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐40V RDSON (MAX.) 44mΩ ID ‐6A UIS, Rg 100% Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：191.74 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB45A06G	文件：194.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 45mΩ ID 6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：194.28 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
10
Input resistance R1 2 [kΩ]：
10
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-50
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.1
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
-50
Collector current(continuous) IC2[A]：
-0.1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA114T / DTA114T
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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