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EMB36N10A	文件：230.18 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 36mΩ ID 30A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：230.18 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB36N10A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMD36N10A	文件：229.45 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 36mΩ ID 30A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：229.45 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
MTW36N10E	文件：322.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 58mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：322.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP36N10SDE	文件：257.61 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A) • Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 2 文件：257.61 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
30
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
36
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
48
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
29
CissTyp.(pF)：
2042

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	EMB36N10A	EMC/杰力	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	EMB36N10A	NK/南科功率	2025+	TO252-2	986966	国产	询价
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更多EMB36N10A供应商更新时间2025-10-7 11:01:00

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