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EMB32N03VAT	文件：183.87 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 35mΩ ID 5.5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：183.87 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB32N03VAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
32N03S	文件：301.5 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor 文件：301.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
32N03S	文件：380.17 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor 文件：380.17 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
EMB32N03J	文件：171.9 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：171.9 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
5.5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
35
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
52
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
7.5
CissTyp.(pF)：
332

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