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EMB25A06S	文件：210.16 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 7A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating 文件：210.16 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB25A06S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Dual	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
FG25A06	文件：192.23 Kbytes Page：2 Pages	25.0 Amps. Glass Passivated Power Rectifiers High reliability 文件：192.23 Kbytes 页数：2 Pages	FCI 富加宜	FCI
AR25A06	文件：152.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Rectifier 文件：152.91 Kbytes 页数：2 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE

技术参数

Channel：
Dual N
BVDSS(V)：
60
VGS(±V)：
20
ID(A)：
7
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
30
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
48
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
43
CissTyp.(pF)：
2240

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	EMB25A06S	HAMOS/汉姆	23+	DIP-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	EMB25A06S	HAMOS/汉姆	24+	NA/	30000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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深圳市赛美科科技有限公司	EMB25N06A	EMB	新年份	TO-252	33288	原装正品现货,实单带TP来谈!	询价
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更多EMB25A06S供应商更新时间2025-11-20 11:00:00

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