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EMB2S_V01	文件：534.43 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED SUPER FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS 文件：534.43 Kbytes 页数：2 Pages	CHENDA 辰达半导体	CHENDA
EMB2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器，起动器等各种用途。 •分圧型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
EMB20N03A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB20N03G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS

技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
47
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
-50
Collector current IC 2[A]：
-0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
47
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA144E / DTA144E
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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