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EMB14N10H

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 16.5mΩ ID 44A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:222.06 Kbytes 页数:6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB14N10H

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

FIR14N10DG

N-Channel 100V (D-S) MOSFET

文件:4.79423 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

SSG14N10SG

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:487.59 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

WSD14N10DN

Battery protection Load switch

文件:2.59177 Mbytes 页数:5 Pages

WIINSOK

微硕半导体

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    100

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    44

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    16.5

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    21

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    64

  • CissTyp.(pF):

    4505

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EMC/杰力
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DFN-85X6
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更多EMB14N10H供应商 更新时间2026-9-26 11:00:00