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EMB12N03V	文件：216.35 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 11.5mΩ ID 18.5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：216.35 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N03VAT	文件：187.09 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 11.5mΩ ID 9A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：187.09 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N03V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB12N03VAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
18.5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
11.5
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
16
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
17.6
CissTyp.(pF)：
1050

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB12N03V供应商更新时间2025-10-11 16:36:00

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