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EMB12N03H

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:218.65 Kbytes 页数:6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB12N03HR

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 11.5mΩ ID 25A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:218.4 Kbytes 页数:6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB12N03H

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

EMB12N03HR

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    25

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    11.5

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    23

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    15.2

  • CissTyp.(pF):

    762

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EMC/杰力
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EDFN56
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更多EMB12N03H供应商 更新时间2025-10-6 14:14:00