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EMB09N03H	文件：230.34 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：230.34 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB09N03HR	文件：229.25 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 9.5mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：229.25 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB09N03H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
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技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
50
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
9
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
13.5
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
17.6
CissTyp.(pF)：
828

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