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EMB09A03VP	文件：973.19 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：973.19 Kbytes 页数：10 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB09A03VP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Dual	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
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技术参数

Channel：
Dual-N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
16
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
9
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
13
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
13.7
CissTyp.(pF)：
959

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