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EMB07N03HR	文件：219.18 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 7mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：219.18 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB07N03HS	文件：538.91 Kbytes Page：7 Pages	Single N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：538.91 Kbytes 页数：7 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB07N03HQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB07N03HR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB07N03HS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs -Low Voltage MOSFET(20V~30V)	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
50
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
7
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
9
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
15
CissTyp.(pF)：
1014

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB07N03H供应商更新时间2025-11-25 14:38:00

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