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EMB06N03V	文件：212.08 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)6mΩ ID26A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FTD06N03N	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FTD06N03NA	文件：238.55 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET Applications: ●Adaptor ●Charger ●SMPS Features: ●RoHSCompliant ●LowONResistance ●LowGateCharge ●PeakCurrentvsPulseWidthCurve InductiveSwitchingCurves	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IPB06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •N-channel •Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB06N03LAG	文件：276.79 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtr	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPB06N03LB	文件：279.42 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD06N03L	文件：158.16 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD06N03LA	文件：413.86 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD06N03LA	文件：348.79 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD06N03LA	文件：418.76 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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