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EMB06N03HR	文件：222.78 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 6mΩ ID 75A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：222.78 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB06N03HR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
IPB06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated 文件：347.1 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPI06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated 文件：347.1 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • N-channel • Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv /dt rated 文件：347.1 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
75
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
6
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
9.5
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
31.7
CissTyp.(pF)：
2040

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EMB06N03HR供应商更新时间2026-4-12 14:13:00

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