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EMB06N03G

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 6mΩ ID 18A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating

文件:191.98 Kbytes 页数:5 Pages

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EMB06N03GH

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 6mΩ ID 18A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:191.77 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB06N03G

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

EMB06N03GH

Power MOSFETs-N Channel

Excelliance MOS

杰力科技

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    18

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    6

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    9.5

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    34.6

  • CissTyp.(pF):

    1983

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更多EMB06N03G供应商 更新时间2025-10-6 9:03:00