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EMB02N03HS

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB02N03HS

Power MOSFETs-N Channel;

Excelliance MOSExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB02N03HR

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)1.7mΩ ID100A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

技术参数

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    100

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    2.5

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    3.8

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    33

  • CissTyp.(pF):

    2382

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更多EMB02N03HS供应商 更新时间2025-7-27 14:14:00