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EMB10T2R	文件：486.57 Kbytes Page：8 Pages	PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：486.57 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB11	文件：3.41693 Mbytes Page：3 Pages	Dual Digital Transistors (PNP P NP) 文件：3.41693 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
EMB11	文件：1.59483 Mbytes Page：1 Pages	dual digital transistors (PNP PNP) 文件：1.59483 Mbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
EMB12N03H	文件：218.65 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：218.65 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N04G	文件：182.36 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：182.36 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N06CS	文件：230.11 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：230.11 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N06G	文件：183.66 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：183.66 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N10A	文件：231.59 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：231.59 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N10CS	文件：230.12 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：230.12 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12P03A	文件：224.99 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：224.99 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技术参数

Channel：
Single-N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
200
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
1.2
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
1.6
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
174
CissTyp.(pF)：
11245

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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