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EMB05N03GH	文件：188.48 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：188.48 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB05N10H	文件：517.26 Kbytes Page：7 Pages	Single N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：517.26 Kbytes 页数：7 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB05S	文件：462.3 Kbytes Page：8 Pages	THINKISEMIS FAST RECOVERY TYPE MINIATURE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIERS 文件：462.3 Kbytes 页数：8 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
EMB06N06CS	文件：223.47 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：223.47 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB06N06HS	文件：914.95 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：914.95 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB07B03H	文件：239.26 Kbytes Page：5 Pages	Dual P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：239.26 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB07N03A	文件：228.87 Kbytes Page：6 Pages	N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：228.87 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB07N03HS	文件：538.91 Kbytes Page：7 Pages	Single N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：538.91 Kbytes 页数：7 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB07N03VQ	文件：447.74 Kbytes Page：7 Pages	Single N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：447.74 Kbytes 页数：7 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB08N03A	文件：233.48 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：233.48 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技术参数

Channel：
Single-N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
200
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
1.2
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
1.6
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
174
CissTyp.(pF)：
11245

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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