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EM6K34	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.9V Drive Nch+Nch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
EM6K34	文件：292.91 Kbytes Page：6 Pages	0.9V Drive Nch Nch MOSFET 文件：292.91 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SSM6K34TU	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM6K34TU	文件：195.73 Kbytes Page：5 Pages	High Current Switching Applications 文件：195.73 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
T6K34	文件：53.91 Kbytes Page：2 Pages	Row Driver LSI for Dot Matrix Graphic LCD 文件：53.91 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
50
Drain Current ID[A]：
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ.)：
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)：
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
0.9
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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