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EKI10126

DC-DC converters

文件:252.23 Kbytes 页数:6 Pages

Sanken

三垦

EKI10126

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:294.57 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

EKI10126

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.51874 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

EKI10126

硅 N 通道型 MOSFET

硅 N 通道型 MOSFET 低Qg与低导通电阻MOSFET\n高速开关\n4.5V栅极驱动;

Sanken

三垦

EKI10126_14

N ch Trench Power MOSFET

文件:596.99 Kbytes 页数:9 Pages

Sanken

三垦

技术参数

  • VDS:

    100V

  • VGS:

    ±20V

  • ID:

    66A

  • PD:

    135W

  • VTHmin:

    1V

  • VTHmax:

    2.5V

  • RDS(ON)Typ.(VGS=4.5V):

    0.0129Ω

  • RDS(ON)Typ.(VGS=10V):

    0.0088Ω

  • Ciss:

    6420pF

  • Coss:

    465pF

  • Crss:

    280pF

  • Qg(VGS=4.5V):

    45.2nC

  • Qg(VGS=10V):

    95.6nC

  • trr:

    54.6ns

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更多EKI10126供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00