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EGP30F	文件：202.33 Kbytes Page：2 Pages	High Efficiency Rectifiers VOLTAGERANGE:50---800V CURRENT:3.0A Features ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecurrentcapability ◇Easilycleanedwithalcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
EGP30F	文件：394.54 Kbytes Page：2 Pages	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS VOLTAGERANGE:50---800VCURRENT:3.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecurrentcapability ◇Easilycleanedwithalcohol,Isopropanol andsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
EGP30F	文件：90.33 Kbytes Page：2 Pages	3.0A GLASSPASSIVATED ULTRAFAST DIODE Features ●GlasspassivatedDIE ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
EGP30F	文件：195.69 Kbytes Page：7 Pages	Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 ReverseVoltage50to1000V FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction Cavity-freeglasspassivatedjunction CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
EGP30F	文件：63.04 Kbytes Page：2 Pages	SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES GPRC(GlassPassivatedRectifierChip)inside Glasspassivatedcavity-freejunction Superfastrecoverytimeforhighefficiency Lowforwardvoltage,highcurrentcapability *Lowleakagecurrent	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
EGP30F	文件：78.73 Kbytes Page：4 Pages	Glass Passivated Ultrafast Plastic Rectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
EGP30F	文件：184.66 Kbytes Page：6 Pages	3.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers Features GlassPassivatedCavity−freeJunction HighSurgeCurrentCapability LowLeakageCurrent SuperfastRecoveryTimeforHighEfficiency LowForwardVoltage,HighCurrentCapability TheseDevicesarePb−Free,HalideFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EGP30F	文件：369.196 Kbytes Page：2 Pages	3A 300V Fast recovery diode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
EGP30F	文件：248.53 Kbytes Page：6 Pages	3.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
EGP30F	文件：79.46 Kbytes Page：4 Pages	Glass Passivated Ultrafast Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
EGP30F
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
带盒（TB）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
75pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD

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