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EGP30B

3.0A快速恢复整流器

•玻璃钝化无腔结\n•高浪涌电流能力\n•低泄漏电流\n•超快恢复时间可实现高效率。\n•低正向电压,高电流能力;

ONSEMI

安森美半导体

EGP30C

3.0A快速恢复整流器

•玻璃钝化无腔结\n•高浪涌电流能力\n•低泄漏电流\n•超快恢复时间可实现高效率。\n•低正向电压,高电流能力;

ONSEMI

安森美半导体

EGP30D

3.0A快速恢复整流器

•玻璃钝化无腔结\n•高浪涌电流能力\n•低泄漏电流\n•超快恢复时间可实现高效率。\n•低正向电压,高电流能力;

ONSEMI

安森美半导体

EGP30A-E3/54

Package:DO-201AA,DO-27,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 50V 3A GP20

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

EGP30A-E3/73

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURPOSE DO204AL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

EGP30AHE3/54

Package:DO-201AA,DO-27,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 50V 3A GP20

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

  • 产品编号:

    EGP30C

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    95pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
25+
DO-201AD
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DO-201
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更多EGP30供应商 更新时间2026-3-10 23:00:00