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EGF1C	文件：90.27 Kbytes Page：4 Pages	1.0 Ampere High Efficiency Glass Passivated Rectifier Features •Lowforwardvoltagedrop. •Lowprofilepackage. •Fastswitchingforhighefficiency.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
EGF1C	文件：91.39 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST SURFACE MOUNT RECTIFIER ReverseVoltage-50to200Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Idealforsurfacemountautomotiveapplications ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦Superfastrecoverytimesfor	GE GE Industrial Company	GE
EGF1C	文件：55.37 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP. Surface Mount Glass Passivated Junction High Efficient Rectifiers VoltageRange50to1000Volts Current1.0Ampere Features ◇Idealforsurfacemountautomotiveapplications ◇Glasspassivatedcavity-freejunction ◇Easypickandplace ◇Capableofmeetingenviromentalstandardof MIL-S-19500 ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwriters Laborator	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
EGF1C	文件：106.76 Kbytes Page：4 Pages	Marking：EC；Package：DO-214BA；Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
EGF1C	文件：334.71 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST SURFACE MOUNT RECTIFIER DIODES VOLTAGERANGE:50-200VCURRENT:1.0A Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory ●FlammabilityClassification94V-0 ●Idealforsurfacemountautomotiveapplications ●Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ●Superfastrecoverytimesforhighefficiency ●Glass	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
EGF1C	文件：2.3727 Mbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST SURFACE MOUNT RECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory •FlammabilityClassification94V-0 •Idealforsurfacemountautomotiveapplications •Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction •Superfastrecoverytimesforhighefficiency •Glasspassivatedcavity-freejunction •Built-	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
EGF1C	文件：89.39 Kbytes Page：4 Pages	Surface-Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
EGF1C	文件：117.12 Kbytes Page：5 Pages	Fast Rectifiers (Glass Passivated) Features •LowForwardVoltageDrop •LowProfilePackage •FastSwitchingforHighEfficiency •TheseDevicesarePb−Free,HalideFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EGF1C	文件：337.144 Kbytes Page：2 Pages	1A 150V Fast recovery diode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
EGF1C	文件：337.144 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST SURFACE MOUNT RECTIFIER DIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE

产品属性

产品编号：
EGF1C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 150V 1A SMA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EGF1C供应商更新时间2025-5-20 10:12:00

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