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EG3001

带SD功能单通道驱动芯片

EG3001 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片,内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路,专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。电源电压范围宽 3V - 30V,静态功耗低仅 2mA,输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚,可用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。 • 源出峰值驱动电流达 1A 和吸入峰值驱动电流达 1.2A\n• 宽电压输入范围 + 3V - +30V\n• 输入端 IN 可承受最高为 + 30V 的输入电压\n• 低输入供电电流(逻辑 1 输入 - 200uA 典型值,逻辑 0 输入 - 0uA 典型值)\n• 独立的拉电流和灌电流输出结构可独立调节上升沿和下降沿时间\n• SD 引脚实现逐周关断控制,可用于短路或过流保护处理电路\n• 封装形式:SOP - 8;

EGmicro

屹晶微电子

EG3001

Single channel power MOSFET drive chip

文件:772.1 Kbytes 页数:11 Pages

EGMICRO

屹晶微电子

EGBJ3001

THINKISEMI SUPER FAST RECOVERY TYPE SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIERS

文件:244.31 Kbytes 页数:1 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

EGBU3001

THINKISEMI SUPER FAST RECOVERY TYPE SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIERS

文件:756.89 Kbytes 页数:1 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

ELC3001DU

Electrical Accessories

文件:453.2 Kbytes 页数:6 Pages

NVENT

技术参数

  • 低端电源(V):

    3-30

  • 输入逻辑:

    IN,SD

  • 输出电流(A):

    1.0/1.2

  • 低端电源欠压保护(V):

  • 高端电源欠压保护(V):

  • 使能:

  • 开延时LO-HO:

    80/160

  • 关延时LO-HO:

    20/50

  • 上升时间LO-HO:

    200/200

  • 下降时间LO-HO:

    80/80

  • 死区时间(nS):

  • 通道:

    1

  • 封装:

    SOP8

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