带SD驱动芯片

EG2184 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 上拉电阻，在 SD 输入为低电平时，使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/- 1.9/2.3A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• VCC 和 VB 端电源带欠压保护\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 1.9A/2.3A\n• 内建死区控制电路\n• SD 输入通道低电平有效，关闭 HO、LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

EGmicro

屹晶微电子

高压650V2.5A带SD驱动芯片

EG2184S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。其高端工作电压可达 650V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 250K 下拉电阻，SD 内建了一个 250K 下拉电阻，在 SD 输入为低电平时，使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/- 2.5/2.5A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 650V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• VCC 和 VB 端电源带欠压保护\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2.5A/2.5A\n• 内建死区控制电路\n• SD 输入通道低电平有效，关闭 HO、LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

EGmicro

屹晶微电子

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件：114.44 Kbytes 页数：7 Pages

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件：114.44 Kbytes 页数：7 Pages

RENESAS

瑞萨

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2184(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or L

文件：181.99 Kbytes 页数：8 Pages

IRF