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EG2181

高压600V2A半桥驱动芯片

EG2181 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 3.5V - 20V,静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力为 IO+/- 2/2.5A,采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 3.5V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 静态电流小于 5uA,非常适合电池场合\n• 封装形式:SOP - 8;

EGmicro

屹晶微电子

EG2181

HIgh-Power MOS tube driver chip

文件:700.82 Kbytes 页数:12 Pages

EGMICRO

屹晶微电子

EG21814

高压600V2A半桥驱动芯片

EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V,静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2.5/3A,采用 SOP14 封装。 • 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2.5A/3A\n• HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出\n• 输入信号不相互闭锁\n• 外围器件少\n• 封装形式:SOP14\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

EGmicro

屹晶微电子

EG2181D

高压600V2A驱动芯片

EG2181D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V,低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V,静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力为 IO+/- 2/2.5A,采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A\n• HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出\n• 输入信号不相互闭锁\n• 外围器件少\n• 封装形式:SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

EGmicro

屹晶微电子

技术参数

  • 悬浮电源(V):

    600

  • 低端电源(V):

    10-20

  • 输入逻辑:

    HIN

  • 输出电流(A):

    2.5/3

  • 低端电源欠压保护(V):

    8.8/8.2

  • 高端电源欠压保护(V):

    8.6/8.1

  • 闭锁保护:

  • 使能:

  • 开延时LO-HO:

    290/290

  • 关延时LO-HO:

    260/260

  • 上升时间LO-HO:

    120/120

  • 下降时间LO-HO:

    80/80

  • 通道:

    2

  • 封装:

    SOP14

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
EGMICRO/屹晶微
新批号
SOP8
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EG(屹晶微)
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1600
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