MOS驱动芯片

是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，包含三个独立半桥驱动电路。内置死区时间、输入信号滤波、欠压保护和过流保护功能，出现异常可关断六通道输出，适应 5V 或 3.3V 输入电压，输出电流能力 + 0.2A /- 0.35A，用于三相电机驱动等领域，采用 SOP28L 封装 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V 或者 3.3V 输入电压\n• 输出电流能力 + 0.2A/-0.35A\n• 欠压保护\n• 使能控制\n• 输入输出相反\n• 外部设置清理时间\n• 高低端通道匹配\n• 过流保护关断六通道输出\n• 集成三个独立的半桥驱动器\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• 封装形式：SOP28L;

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屹晶微电子

Three-phase semI-brIdge circuit drive chip

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650V三相半桥驱动芯片

EG21364 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 650V\n• 适应 5V 或者 3.3V 输入电压\n• 输出电流能力 + 0.2A/-0.35A\n• 欠压保护\n• 使能控制\n• 输入输出同相\n• 外部设置清理时间\n• 高低端通道匹配\n• 过流保护关断六通道输出\n• 集成三个独立的半桥驱动器\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• 封装形式：SOP28\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

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600V三相半桥驱动芯片

是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路，具备欠压保护、输入噪声滤波、死区时间控制、过流保护等功能，适应 5V 或 3.3V 输入电压，输出电流能力 + 0.2A /- 0.35A，应用于三相电机驱动等，采用 SOP28L 封装 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V 或者 3.3V 输入电压\n• 输出电流能力 + 0.2A/-0.35A\n• 欠压保护\n• 使能控制\n• 输入输出相反\n• 外部设置清理时间\n• 高低端通道匹配\n• 过流保护关断六通道输出\n• 集成三个独立的半桥驱动器\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• 封装形式：SOP28\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

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