中压300V1.2A三相半桥驱动芯片

是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端工作电压可达 300V，低端 VCC 电压范围 4.5V - 20V，具有闭锁功能，输出电流能力 I0 + 1.2A - 1.4A，适用于三相直流无刷电机驱动器，采用 TSSOP20 和 QFN24 封装 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 300V\n• 集成三路独立半桥驱动\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 4.5V - 20V\n• 输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效，控制低端 LO 输出\n• 封装形式：TSSOP20/QFN24;

EGmicro

屹晶微电子

Three-phase semI-brIdge axle drive chip

文件：712 Kbytes 页数：13 Pages

EGMICRO

屹晶微电子

1-channel Step-down Switching Regulator

文件：88.45 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

300MA HIGH PSRR LOW DROPOUT CMOS LINEAR REGULATOR

文件：714.6 Kbytes 页数：11 Pages

FOSLINK

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件：55.69 Kbytes 页数：4 Pages

RENESAS

瑞萨