Band SD MOS diode drive chip

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屹晶微电子

带SD功能高压600V2A半桥驱动芯片

EG2104 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 1uA。芯片输入通道 IN 内建 200K 下拉电阻，SD 内建 200K 下拉电阻，输出电流能力为 IO+/-2/2.5A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 2.8V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A\n• 内建死区控制电路\n• SD 输入通道低电平有效，关闭 HO、LO 输出\n• 外围器件少\n• 静态电流小于 1uA，非常适合电池场合\n• 封装形式：SOP - 8;

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MOS diode drive chip

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MOS diode drive chip

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带SD功能600V驱动芯片

EG2104M 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• VCC 和 VB 端电源带欠压保护\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 0.3A/0.6A\n• 内建死区控制电路\n• SD 输入通道低电平有效，关闭 HO、LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

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带SD功能600V驱动芯片

EG2104S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-1.0/1.5A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• VCC 和 VB 端电源带欠压保护\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 1.0A/1.5A\n• 内建死区控制电路\n• SD 输入通道低电平有效，关闭 HO、LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

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