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EG12521

双管正激高压600V1A半桥驱动芯片

EG12521 是一款高性价比的双管正激高压驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路,专用于双管正激电源、无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 4V - 20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻,LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.2A,采用 SOP8 封装。 • 双管正激电源 600V 高压驱动\n• 高端悬浮自举电源设计\n• HIN、LIN 适应 0 - 20V 输入电压\n• 小于 1uA 静态电流\n• 最高频率支持 500KHZ\n• 低端 VCC 电压范围 4V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 0.8A/1.2A\n• HO、LO 通道匹配输出\n• HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式:SOP8;

EGmicro

屹晶微电子

LTWTN-12521

Power Transducer Series LT-UNIT

文件:130.55 Kbytes 页数:5 Pages

MSYSTEM

爱模

LTWTN-12521/Q

Power Transducer Series LT-UNIT

文件:130.55 Kbytes 页数:5 Pages

MSYSTEM

爱模

LTWTN-12521/T

Power Transducer Series LT-UNIT

文件:130.55 Kbytes 页数:5 Pages

MSYSTEM

爱模

技术参数

  • 悬浮电源(V):

    600

  • 低端电源(V):

    4-20

  • 输入逻辑:

    HIN

  • 输出电流(A):

    0.8/1.2

  • 低端电源欠压保护(V):

  • 高端电源欠压保护(V):

  • 闭锁保护:

  • 使能:

  • 开延时LO-HO:

    100/100

  • 关延时LO-HO:

    70/70

  • 上升时间LO-HO:

    30/30

  • 下降时间LO-HO:

    20/20

  • 通道:

    2

  • 封装:

    SOP8

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