集成600V2A半桥驱动PWM控制芯片

是一款高压半桥 PWM 控制芯片，内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能，非常适合高压大功率场合应用，配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入 • 半桥 PWM 控制芯片，集成 600V 半桥驱动芯片\n• 外接一个电容可设置工作频率（20Hz - 500KHz）\n• 内置 5V 基准电压\n• 具备 UVLO 欠压锁定功能，Vcc 引脚端的开启电压 16V-EG1165、8V-EG1165S，Vcc 引脚端的关闭电压 8V-EG1165、7.5V-EG1165S\n• 具有 MOS 管逐周限流控制\n• 内置软启动电路\n• 具有 PWM 锁存功能，禁止多脉冲\n• 封装形式为 SOP16 。;

EGmicro

屹晶微电子

集成600V半桥驱动PWM控制器

与 EG1165 类似，是一款高压半桥 PWM 控制芯片，内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能，适合高压大功率场合应用，配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入，其 Vcc 引脚端的开启电压和关闭电压等参数与 EG1165 有所不同 • 半桥 PWM 控制芯片，集成 600V 半桥驱动芯片\n• 外接一个电容可设置工作频率（20Hz - 500KHz）\n• 内置 5V 基准电压\n• UVLO 欠压锁定功能，Vcc 引脚端的开启电压有 16V - EG1165、8.5V - EG1165S，关闭电压有 8V - EG1165、7.5V - EG1165S\n• MOS 管逐周限流控制\n• 内置软启动电路\n• 具有 PWM 锁存功能，禁止多脉冲\n• 封装形式：SOP16;

EGmicro

屹晶微电子

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. • High allowable power dissipation. Applications • DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor dri

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三洋

40V Step-Up Regulator for White LED Driver with PWM Dimming

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High Output, Short Arc Xenon Flashlamp with Internal Reflector

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