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EFP201209L121A

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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ECE

百容电子

EFP201209L130B

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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ECE

百容电子

EFP201209L131A

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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EFP201209L150B

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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EFP201209L151A

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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EFP201209L152A

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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EFP201209L170B

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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EFP201209L181A

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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EFP201209L190B

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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EFP201209L201A

HIGH CURRENT MULTILAYER CHIP BEADS

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技术参数

  • 数字 I/O 引脚:

    2

  • Vdd(最小值):

    1.8

  • Vdd(最大值):

    5.5

  • 温度范围下限 (ºC):

    -40

  • 温度范围上限 (ºC):

    85

  • 封装类型:

    QFN20

  • 封装尺寸:

    3 x 3

  • 最小输出电压 (V):

    1.7

  • 最大输出电压 (V):

    3.3

  • 输出电压导轨:

    3

  • 最低静态电流 (nA):

    150

  • 电荷计量:

  • DCDC A 配置:

    有线降压

  • DCDC B 最小输出电压范围 (V):

    0.8

  • DCDC B 最大输出电压范围 (V):

    3.3

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更多EFP供应商 更新时间2026-1-20 16:30:00