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EFC6601R

EFC6601R

ON

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技术参数

  • Compliance:

    Pb-freeHalide free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     Dual N-Channel Power MOSFET

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual Common Drain

  • V(BR)DSS Min (V):

    2420

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    1.3

  • ID Max (A):

    13

  • PD Max (W):

    Condition

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=17

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=11.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    Condition

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    48

  • Package Type:

    WLCSP-6

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更多EFC6601R供应商 更新时间2025-7-30 18:51:00