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EFC3C001NUZ	文件：284.37 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：284.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC3C001NUZTCG	文件：284.37 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：284.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EFC3C001NUZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	用于 1-2 节锂电子电池保护的双 N 沟道功率 MOSFET，20 V，6 A，30 mΩ This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable machines. It features two common drain N-channel MOSFETs, which enables bidirectional current flow. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. The EFC3C0 • 2.5 V drive\n• Common-Drain type\n• ESD Diode-Protected Gate\n• RoHS compliance\n• Environmental consideration;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
RV3C001ZP	文件：751.27 Kbytes Page：11 Pages	Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET 文件：751.27 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMB3C001	文件：1.66512 Mbytes Page：20 Pages	Hard disk controller 文件：1.66512 Mbytes 页数：20 Pages	UMC 联电	UMC

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual Common Drain
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
6
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=56
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=30
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
45
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
15
Package Type：
WLCSP-4

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