首页 >ECW-H10112RJV>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
ECW-H10112RJV | 聚丙烯膜电容(CBB) | Panasonic 松下 | Panasonic | |
ECW-H10112RJV | Package：径向；包装：散装 类别：电容器 薄膜电容器 描述：CAP FILM 1100PF 5% 1KVDC RADIAL | Panasonic 松下 | Panasonic | |
SMT POWER INDUCTORS 文件：902.04 Kbytes 页数：4 Pages | pulse | pulse | ||
DIODE MODULE 100A/1200V/1600V 文件：142.78 Kbytes 页数：3 Pages | NIEC | NIEC | ||
60 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor Description The PTF 10112 is an internally matched common source N-channel enhancement-mode lateral MOSFET intended for CDMA and TDMA applications from 1.8 to 2.0 GHz. It is rated at 60 watts power output. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent device lifetime 文件：324.91 Kbytes 页数：6 Pages | Ericsson 爱立信 | Ericsson |
产品属性
- 产品编号：
ECW-H10112RJV
- 制造商：
Panasonic Electronic Components
- 类别：
电容器 > 薄膜电容器
- 系列：
ECW-H(V)
- 包装：
散装
- 容差：
±5%
- 额定电压 - DC：
1000V（1kV）
- 介电材料：
聚丙烯（PP），金属化
- 工作温度：
-40°C ~ 105°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
径向
- 大小 / 尺寸：
0.709" 长 x 0.256" 宽（18.00mm x 6.50mm）
- 高度 - 安装（最大值）：
0.728"（18.50mm）
- 端接：
PC 引脚
- 引线间距：
0.295"（7.50mm）
- 应用：
高频率，开关
- 描述：
CAP FILM 1100PF 5% 1KVDC RADIAL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANASONIC/松下 |
2015+ROHS |
DIP |
39800 |
一级质量专业经营自家库存供应 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
KEXIN/科信 |
23+ |
SMD DIP |
475355779 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
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