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ECS4806	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
FTK4806T	文件：800.54 Kbytes Page：5 Pages	40V Dual N-Channel MOSFETs 文件：800.54 Kbytes 页数：5 Pages	FS	FS
HM4806A	文件：543.3 Kbytes Page：7 Pages	PWM application 文件：543.3 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM4806B	文件：701.83 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：701.83 Kbytes 页数：8 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Configure：
Dual
MOSFET TyEC：
N+N
V DS(V)：
40
V GS(V)：
±20
V th (V)：
1.2/1.8/2.5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
December 15
GS =4.5V：
14/18
Ciss(pF)：
1220
Coss (pF)：
130
Crss(pF)：
55
Qg (nC)=4.5V：
12.2
Qgs (nC)：
3.3
Qgd (nC)：
6.7
Rg W：
2.2
EAS(mJ)：
76
I D(A) Tc=25 ℃：
12
I D(A) Tc=100 ℃：
7.5
EC(W)Tc=25 ℃：
2.1
ESDDiode：
X
Schokkty Diode：
X

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