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ECR04N50	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
NDD04N50Z	文件：124.28 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：124.28 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD04N50Z	文件：127.75 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET 500 V, 2.7 文件：127.75 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD04N50Z	文件：298.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 3.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：298.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
500
V GS(V)：
±30
V th (V)：
3/4/5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
2600/3200
Ciss(pF)：
435
Coss (pF)：
34
Crss(pF)：
4
Qg (nC)=10V：
10
Qgs(nC)：
2.6
Qgd(nC)：
3.2
Rg W：
1.9
EAS(mJ)：
20
I D(A) Tc=25 ℃：
4
I D(A) Tc=100 ℃：
2.5
EC(W)Tc=25 ℃：
42
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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