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ECR02N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
EMB02N60AB	文件：201.72 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 600V RDSON (MAX.) 4.0Ω ID 2A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：201.72 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB02N60CSB	文件：187.91 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：187.91 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD02N60A	文件：192.61 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：192.61 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
600
V GS(V)：
±30
V th (V)：
2/2.5/4.5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
3900/4400
Ciss(pF)：
280
Coss (pF)：
37
Crss(pF)：
8
Qg (nC)=10V：
9.4
Qgs(nC)：
2.3
Qgd(nC)：
4.2
Rg W：
4
EAS(mJ)：
50
I D(A) Tc=25 ℃：
2
I D(A) Tc=100 ℃：
1.3
EC(W)Tc=25 ℃：
52
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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