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技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFET TyEC:

    N

  • V DS(V):

    500

  • V GS(V):

    ±30

  • V th (V):

    3/4/5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    13000/16000

  • Ciss(pF):

    110

  • Coss (pF):

    12

  • Crss(pF):

    3

  • Qg (nC)=10V:

    4.5

  • Qgs(nC):

    1.5

  • Qgd(nC):

    1.2

  • Rg W:

    1

  • EAS(mJ):

    0.11

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    1

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    0.6

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    25

  • ESDDiode:

    X

  • SchokktyDiode:

    X

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更多ECR01N50供应商 更新时间2026-3-30 15:48:00