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技术参数

Configuration：
Single
MOSFETTyEC：
N
V DS(V)：
80
V GS(V)：
±20
V th (V)：
1/2/3
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
7.2/8.5
GS =4.5V：
9/11
Ciss(pF)：
5335
Coss (pF)：
350
Crss(pF)：
185
Qg (nC)=10V：
86
Qgs(nC)：
14.5
Qgd (nC)：
17.5
Rg W：
1.6
EAS mJ)：
230
I D(A) Tc=25 ℃：
120
I D(A) Tc=100 ℃：
75
EC(W)Tc=25 ℃：
183
ESDDiode：
X
Schokkty Diode：
X

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