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ECP2

LatticeECP2/M Family Data Sheet

文件:2.4753 Mbytes 页数:386 Pages

Lattice

莱迪思

ECP200

2.0 WATT POWER AMPLIFIER

文件:86.83 Kbytes 页数:5 Pages

EIC

ECP200D

2 Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier

文件:319.56 Kbytes 页数:6 Pages

WJCI

ECP200D-G

2 Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier

文件:319.56 Kbytes 页数:6 Pages

WJCI

ECP200D-PCB1960

2 Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier

文件:319.56 Kbytes 页数:6 Pages

WJCI

ECP200D-PCB2140

2 Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier

文件:319.56 Kbytes 页数:6 Pages

WJCI

ECP200D-PCB900

2 Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier

文件:319.56 Kbytes 页数:6 Pages

WJCI

ECP200G

2 Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier

文件:861.43 Kbytes 页数:9 Pages

WJCI

ECP202412

Systeme de commande Eclipse - NEMA 12

文件:168.82 Kbytes 页数:3 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

ECP202412

DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE

文件:141.11 Kbytes 页数:1 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • MOSFETTyEC:

    N

  • V DS(V):

    200

  • V GS(V):

    ±30

  • V th (V):

    3/4/5

  • R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V:

    100/130

  • Ciss(pF):

    1330

  • Coss (pF):

    195

  • Crss(pF):

    21

  • Qg (nC)=10V:

    30

  • Qgs(nC):

    7.5

  • Qgd (nC):

    11

  • Rg W:

    2.3

  • EAS mJ):

    420

  • I D(A) Tc=25 ℃:

    20

  • I D(A) Tc=100 ℃:

    13

  • EC(W)Tc=25 ℃:

    83

  • ESDDiode:

    X

  • Schokkty Diode:

    X

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更多ECP2供应商 更新时间2025-10-10 16:30:00